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    首页 >> 产品中心 >>LED光源系列 >>贴片发射 >> 1206贴片 雪崩二极管APD S14644-05 尊龙凯时-人生就是搏传感器 光学测距探测器
    详细说明

    1206贴片 雪崩二极管APD S14644-05 尊龙凯时-人生就是搏传感器 光学测距探测器

    • 商品说明

    1206 贴片雪崩二极管 APD，S14644-05尊龙凯时-人生就是搏传感器，光学测距探测器 激光测距仪


    该产品应用于光学测距，条形码扫描器，以及电信开关、数据通讯网络、自由空间数据传输、光存储、激光打印机、dvd播放器、安保光屏障、测量设备、尊龙凯时-人生就是搏控制、流体及气体监测、荧光治疗、光复印和荧光检测、计数器和分拣机、红外应用系统、非接触式位置传感、基准面检测、机器自动化等等，欢迎咨询！



    1684291130428.png

    Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)

    Parameter

    Symbol

    Rating

    Units

    Effective photosensitive area size*1 

    Es

    0.5

    mm

    Effective photosensitive area

    EA

    0.16

    mm2

    Power Dissipation*@ 22°C

    Pd

    100

    mW

    Lead Soldering Temperature*2

    Tsol

    260

    ℃

    Operating Temperature

    Topr

    -20 ~ +60

    ℃

    Storage Temperature

    Tstg

    -55 ~ +100

    ℃

    Notes:   *1: Area in which a typical gain can be obtained  

    *2:Soldering time≦5 seco

    Electro-Optical Characteristics

    ELECTRO・OPTICAL CHARACTERISTICS @ 22 °C

    SYMBOL

    CHARACTERISTIC

    TEST CONDITIONS

    MIN

    TYP

    MAX

    UNITS

    Id

    Dark Current

    M = 100*

    一

    0.5

    2.0

    nA

    c

    Capacitance

    M = 100*

    一

    2.2

    一

    pF

    Vbr

    Breakdown Voltage

    Id=2 卩A

    80

    200

    —

    V


    Temperature Coefficient ofVbr


    0.35

    0.45

    0.55

    V/K


    Responsivity

    M = 100; = 0 V;X = 800 nm

    45

    50

    一

    A/W


    Bandwidth

    -3dB

    一

    1.0

    一

    GHz

    tr

    Rise Time



    350

    —

    ps


    Optimum Gain


    50

    60

    —



    "Excess Noise" factor

    M = 100

    一

    2.2

    一



    "Excess Noise” index

    M = 100

    一

    0.2

    —



    Noise Current

    M = 100

    --

    1.0

    一

    pA/Hz1,2


    Max Gain


    200


    一


    NEP

    Noise Equivalent Power

    M = 100; X = 800 nm

    一

    2.0 X10-14

    一

    W/Hz12

    Measurement conditions: Setup of photo current 10 nA at M = 1 and irradiated by a 680 nm, 60 nm bandwidth LED.

    Increase the photo current up to 1 μA, (M = 100)by internal multiplication due to an increasing bias voltage.


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